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    關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

    關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

    本文概述了氧化鋅的基本性質,包括晶體結構、能帶結構和熱性質,并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構,氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在的應用。 晶體結構...

    2022-01-18 標簽:顯示器半導體晶體氧化鋅 195

    吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

    吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

    吉方工控擁有完善的供應鏈體系,多年來與英特爾保持戰略合作關系,與國產芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導向的工作原則指導下,我們對供應鏈進行了科學的管理和嚴格的品控。...

    2022-01-17 標簽:cpu吉方工控 226

    Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

    高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實...

    2022-01-16 標簽:充電器FET電源適配器GaNTransphorm 870

    半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

    半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

    引言 硅(Si)在半導體器件制造中的大多數技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備,其特點是高化學和電穩定性。晶體硅在光伏...

    2022-01-13 標簽:太陽能半導體電子硅片電池 870

    【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

    【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

    點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...

    2021-11-19 標簽:監控系統 44

    用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

    用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

    硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比為2比4,w (97%-H2SO4)0.3.對于較高濃...

    2022-01-13 標簽:多晶硅半導體晶圓刻蝕刻蝕工藝 373

    半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

    半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

    引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率和氧化機理。除了草...

    2022-01-13 標簽:半導體電化學蝕刻清洗蝕刻工藝 331

    DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業務

    DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。 射頻前端是無線通信的必備器件,其負責IT設備之間的發射(Tx)和接收(Rx),并廣...

    2022-01-13 標簽:射頻射頻芯片SOI射頻前端智能硬件 1074

    蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

    蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

    引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿...

    2022-01-12 標簽:InP技術化學蝕刻物理襯底 598

    柔性振動盤視覺上料系統

    柔性振動盤視覺上料系統

    柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...

    2021-02-20 標簽:振動盤 379

    關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

    關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

    引言 高效太陽能電池需要對硅片的正面和背面進行單獨處理。在現有技術中,電池的兩面都被紋理化,導致表面相當粗糙,這對背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入在線單面拋光步驟。...

    2022-01-12 標簽:太陽能電池太陽能半導體晶體硅拋光 288

    O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

    O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

    引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶,而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能,如寬直接帶隙3.37 eV,大結合強度內聚能1.89 eV,熔點2248 K,高激子結合能60 meV,即...

    2022-01-12 標簽:晶圓單晶蝕刻 282

    在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態

    在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態

    引言 原子平面的制備是半導體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現象或使用原子探針技術操縱單個原子,只有原子平面的表面才能產生可重復制造納米級原子結構的機會。原子平坦...

    2022-01-10 標簽:半導體砷化鎵鈍化拋光 257

    先進清洗技術提高晶體硅太陽能電池效率

    先進清洗技術提高晶體硅太陽能電池效率

    引言 晶體硅光伏效率和場退化領域的技術差距/需求已經被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會導致光伏效率低下,并且在現場安裝后暴露在陽光下時容易進一...

    2022-01-10 標簽:太陽能電池太陽能半導體光伏晶體硅 468

    碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

    碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

    引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數,可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域,例如與航空航天、汽車和石油工...

    2022-01-10 標簽:半導體SiC碳化硅刻蝕刻蝕工藝 243

    微氣泡對光刻膠層的影響

    微氣泡對光刻膠層的影響

    關鍵詞:氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明,臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑,即使被高...

    2022-01-10 標簽:半導體光刻晶片光刻膠 225

    混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

    混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

    摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...

    2022-01-07 標簽:半導體印刷電路蝕刻蝕刻技術 376

    多磷酸蝕刻劑的化學特性

    多磷酸蝕刻劑的化學特性

    摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學蝕刻劑有基本的了解,以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...

    2022-01-07 標簽:化學蝕刻蝕刻工藝 373

    使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

    使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

    引言 隨著半導體技術的發展,為了在有限的面積內 形成很多器件,技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構,會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前,在桔葉式設備...

    2022-01-05 標簽:pcb半導體晶圓蝕刻 344

    用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

    用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

    引言 在太陽能電池工業中,最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對昂貴,因此人們正在努力取代它。在過去的幾年中,硅異質...

    2022-01-05 標簽:太陽能電池太陽能半導體晶片硅片 528

    開年專訪谷泰微創始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”

    開年專訪谷泰微創始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”

    隨著全球數字化轉型加速以及AIOT、智能汽車市場爆發,全球集成電路市場規模加速增長,預計2021年全球集成電路市場將增長到5700億美元,未來5年將更增長到1萬億美元的規模!...

    2022-01-04 標簽:集成電路IC設計芯片設計 452

    Nano Dimension宣布收購Essemtec AG

    -Essemtec AG是一家為印刷電路板和原始設備制造商行業提供表面貼裝取放系統的供應商 -本次收購有助于為以下方面的突破性進展奠定基礎:作為增材制造電子產品解決方案一部分的微芯片放置方...

    2021-12-31 標簽:電路板smt3D打印 1946

    國內首條!基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產線正式通線

    國內首條!基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產線正式通線

    12月30日,基本半導體位于無錫市新吳區的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行,首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線,采用先進碳化硅...

    2021-12-31 標簽:MOSFETSiC功率模塊碳化硅基本半導體 1050

    SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

    SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

    摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點,并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數?;贖F二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻機制模型, SiQ在高頻溶液中的溶解是在集...

    2021-12-31 標簽:晶圓鍍膜刻蝕刻蝕機 631

    Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業清洗序列

    Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業清洗序列

    摘要 在本文中,我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業適用清洗順序,并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3顯示出1 ms至2 ms之間的壽命,這與對應于低...

    2021-12-31 標簽:太陽能電池太陽能晶圓晶片TYN1225 586

    異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

    異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

    引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度,我們通過高靈敏度的大氣壓電離質譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是,通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS,研究...

    2021-12-30 標簽:晶圓晶片光譜 576

    淺談芯片市場最新現狀

    全世界都在關注芯片市場的動態。如今半導體的龍頭效應凸顯,創新芯片公司也值得關注。...

    2021-12-30 標簽:芯片存儲芯片半導體行業 395

    2021第三代半導體產教融合發展論壇成功舉辦

    2021第三代半導體產教融合發展論壇成功舉辦

    由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協辦的“2021 第三代半導體標準與檢測研討會”在深圳召開。...

    2021-12-29 標簽:半導體半導體產業 803

    化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

    化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

    引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結構和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這...

    2021-12-29 標簽:半導體蝕刻蝕刻工藝 534

    Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

    Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

    引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學機械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附...

    2021-12-29 標簽:半導體晶圓晶片晶圓制造 248

    半導體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

    半導體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

    關鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導體 引言 半導體器件的制造是從半導體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀 前到現在為止與粒子等雜質的戰斗。半個世紀初,人們已經了 解了什么樣的雜質會給半導體...

    2021-12-29 標簽:芯片半導體蝕刻晶片蝕刻工藝 438

    紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應用

    紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應用

    引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測硅片表面金屬雜質污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實驗顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等主要特征峰。與其他表面敏感技術...

    2021-12-28 標簽:晶圓納米晶片 298

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