關于氧化鋅的基本性質和應用的報告
本文概述了氧化鋅的基本性質,包括晶體結構、能帶結構和熱性質,并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構,氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在的應用。 晶體結構...
吉方定制化服務,持續為客戶提升價值
吉方工控擁有完善的供應鏈體系,多年來與英特爾保持戰略合作關系,與國產芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導向的工作原則指導下,我們對供應鏈進行了科學的管理和嚴格的品控。...
Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實...
2022-01-16 標簽:充電器FET電源適配器GaNTransphorm 870
【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用
點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...
2021-11-19 標簽:監控系統 44
柔性振動盤視覺上料系統
柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...
2021-02-20 標簽:振動盤 379
O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶,而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能,如寬直接帶隙3.37 eV,大結合強度內聚能1.89 eV,熔點2248 K,高激子結合能60 meV,即...
在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態
引言 原子平面的制備是半導體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現象或使用原子探針技術操縱單個原子,只有原子平面的表面才能產生可重復制造納米級原子結構的機會。原子平坦...
微氣泡對光刻膠層的影響
關鍵詞:氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明,臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑,即使被高...
混合鋁蝕刻劑的化學特性分析
摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...
多磷酸蝕刻劑的化學特性
摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學蝕刻劑有基本的了解,以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...
使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法
引言 隨著半導體技術的發展,為了在有限的面積內 形成很多器件,技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構,會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前,在桔葉式設備...
開年專訪谷泰微創始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”
隨著全球數字化轉型加速以及AIOT、智能汽車市場爆發,全球集成電路市場規模加速增長,預計2021年全球集成電路市場將增長到5700億美元,未來5年將更增長到1萬億美元的規模!...
Nano Dimension宣布收購Essemtec AG
-Essemtec AG是一家為印刷電路板和原始設備制造商行業提供表面貼裝取放系統的供應商 -本次收購有助于為以下方面的突破性進展奠定基礎:作為增材制造電子產品解決方案一部分的微芯片放置方...
SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點,并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數?;贖F二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻機制模型, SiQ在高頻溶液中的溶解是在集...
異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度,我們通過高靈敏度的大氣壓電離質譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是,通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS,研究...
2021第三代半導體產教融合發展論壇成功舉辦
由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協辦的“2021 第三代半導體標準與檢測研討會”在深圳召開。...
化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析
引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結構和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這...
Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響
引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學機械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附...
紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應用
引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測硅片表面金屬雜質污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實驗顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等主要特征峰。與其他表面敏感技術...
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